基于图形化衬底的硅基薄膜太阳电池

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户:liangxianke
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用较薄的光吸收层充分吸收太阳光是薄膜太阳电池的一大难点.本文利用有限时域差分法(FDTD)计算并设计了一种以图形化铝片为衬底的非晶硅薄膜太阳电池,通过调节图形化衬底的特征尺寸,实现了宽光谱的吸收增强,并通过实验进行了验证.图形化衬底一方面起到传统绒面陷光的效果,减少了对短波长光的反射,另一方面图形化的背反层还能促进金属表面等离子体共振的激发以及波导模式的耦合,有效提高了非晶硅吸收层对长波长光的吸收,在吸收带边达到了接近40 倍的吸收增强.结果表明,图形化衬底在全光谱范围内(300 nm 至800 nm)提高了非晶硅薄膜太阳电池的光吸收,230 nm 厚的吸收层就能达到普通非晶硅薄膜太阳电池的光吸收效果,利用该方法有望研制出低成本、高效率的硅基薄膜太阳电池.
其他文献
Al2O3 是一种带有负电荷的钝化材料,近年来随着原子层沉积技术的发展Al2O3 在高效晶硅电池钝化中的作用逐渐显现,成为近年来晶硅电池钝化技术研究的重要方向之一.由于采用原子层技术生长的Al2O3 对于n 型和p 型材料均具有良好的钝化作用,因此开展Al2O3 钝化在晶硅电池制备中的研究是开发高效晶硅电池的重要内容.本文采用原子层沉积(Atomic layer Deposition, ALD)工
本文采用常规的工艺在40mm×40mm 的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.这些电池的填充因子大致可以分为两组,他们分别对应于高填充因子和低填充因子.在光诱导镀之后,两组电池的填充因子达到了几乎一样的水平.测试结果表明高低填充因子与高低串联电阻一一对应,在光诱导镀之后两组电池的串联电阻都达到了很低的水平.利用扫描电镜(SEM)观测了电极下的微
通过在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强化学气相沉积SiO2 和SiNx 的叠成钝化;通过对比,可以发现SiO2和SiNx的叠层钝化将电池的开路电压提高了20mV.另外,实验了一种局部Al-p+发射结的电池结构,相比
本文提出了一种利用硼盐酸进行扩散的方法,将旋涂硼盐酸的硅片作为扩散源,在N2 气氛保护下,1020 ℃扩散12 min 所得到的发射极的方块电阻平均值为65 Ω/□,偏差≤4.2 Ω/□,得到的电池的开路电压高于固态硼扩散的开路电压,这种方法与固态硼扩散和液态硼扩散相比还具有扩散温度低、时间短、工艺简单和环境友好等优点,在太阳能电池生产中有巨大的应用潜力.
标准光伏电池标定值的准确性与稳定性直接影响着光伏器件的测量结果.针对光伏电池国际比对所使用的一级标准光伏电池,本文着重对电池的试样筛选、材料封装、电极引线、温度引线和保护窗口等进行了分析与讨论.通过不同制作环节的实验方法与要求,对一级晶体硅标准光伏电池的制作进行了定义;提出了一级标准光伏电池在封装前与封装后的不同试验流程,并对封装后的电参数测量、温度特性和光照稳定性等试验方法进行了详细阐述。
光生诱导电流测试(Laser Beam Induced Current 简称LBIC)适合于薄膜电池等各类电池的性能表征.本文通过理论建模和扫描电池的LBIC 图像和Laser Beam Induced Voltage(LBIV)图像,比较了LBIC 和LBIV 测试方法的区别,指出LBIV 测量值是一平衡电压值,而不是局域的开路电压.
本文采用改进溶胶凝胶法(sol-gel)制备增强氮化硅涂层(SG 涂层),并将其应用于准单晶硅铸锭及普通多晶硅铸锭.实验结果显示:1)采用溶胶凝胶法制备的氮化硅涂层,早期强度较常规喷涂法制备的涂层有显著的提高;2)氮化硅涂层中有机物的添加会降低硅熔体与涂层间的非浸润性,涂层中有机物在加热过程中的碳化可能是其主要原因.铸锭应用结果显示:完整的SG工艺制备的氮化硅涂层可以满足准单晶硅铸锭脱模需要,同时
本文采用两步法对类单晶硅太阳电池的表面进行制绒,利用扫描电子显微镜和分光光度计测试绒面的表面形貌和反射率.测试结果显示:常温下,经两步法腐蚀制绒后的硅片表面形貌是金字塔与凹坑相结合,在波长650nm 处,其表面反射率介于单、多晶硅片的反射率(10%—22%)间,但从电池制作的整体工艺和成本考虑,先酸后碱的制绒方案优于其它方案.
为获得低折射率和高电导率要求的中间层薄膜,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术, 在低氢气流量下制备了n 型非晶硅氧薄膜.本文研究了CO2/SiH4气体流量比、硅烷浓度、沉积功率和PH3 掺杂浓度等工艺参数对硅氧薄膜的沉积速率,折射率,电导率,晶化率以及光学带隙的影响,并获得折射率为1.99, 电导率大于10-6S/cm 和带隙大于2.6eV 的非晶硅氧薄膜.
本文以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD 和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质量先变好后变坏,退火时间控制在90 分钟时可以得到最优质量的薄膜.在此过程中,薄膜的透射率也呈现先增加后减小的趋势,退火时间60 分钟后达到最大的透过率.通过检测其电阻率,发现