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国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

来源 :中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ydaf1aj9

【作 者】

：

高博  余学峰  任迪远  刘刚  王义元  孙静  文林  李 

【出 处】

：

中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第

【发表日期】

：

2009年11期

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