【摘 要】
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以AlN、Al2O3、Dy2O3为原料,采用高温固相反应法在1900℃、5 MPa氮气气氛条件下合成AlON:Dy3+荧光粉,研究了Dy3+掺杂离子浓度对荧光粉的物相组成和发光性能的影响.结果表明:
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 200050
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以AlN、Al2O3、Dy2O3为原料,采用高温固相反应法在1900℃、5 MPa氮气气氛条件下合成AlON:Dy3+荧光粉,研究了Dy3+掺杂离子浓度对荧光粉的物相组成和发光性能的影响.结果表明:当Dy3+掺杂浓度较低时(x=0.005~0.100)合成纯的AlON相,随着Dy3+掺杂浓度的增大(x=0.125~0.250),出现微量的DyAlO3相.该荧光粉在354 nm处有最强激发,其在354 nm激发下呈现3个发射峰,分别位于蓝光483 nm(19F9/2→6H15/2)、黄光578 nm(19F9/2→ 6H13/2)和红光670 nm(19F9/2→6H11/2),其中在578 nm处黄光为最强发射.随着掺杂离子Dy3+浓度的增大,其激发峰和发射峰的强度均表现出先增大后减小的变化规律,其中当x=0.050时,发射强度最高.
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