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本文提出了一种新型的用于功率输出级的四端LD-SENSE MOSFET,利用BCD技术,通过对器件的优化及终端设计,模拟了该结构在不同情形下的击穿情况,获得了满意的结果.
新型高压LD—SENSE MOSFET的设计
【摘 要】
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本文提出了一种新型的用于功率输出级的四端LD-SENSE MOSFET,利用BCD技术,通过对器件的优化及终端设计,模拟了该结构在不同情形下的击穿情况,获得了满意的结果.
【机 构】
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电子科技大学集成电路设计中心(成都)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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