【摘 要】
：
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池近年来发展迅速，但它的不稳定性限制了其商业化.由缺陷引起的非辐射复合以及环境水分子的侵蚀会影响到装置的稳定性.本文介绍了一种有机硅烷添加剂，四甲氧基硅烷，它可以减少由缺陷引起的非辐射复合，抑制水分子侵入.四甲氧基硅烷中的甲氧基可与钙钛矿未配位的Pb2+结合，钝化未配位的Pb2+缺陷，减少非辐射复合.在一定的湿度下，四甲氧基硅烷的水解产物二氧化硅可以占据晶界位置，防止水
【机 构】
：
西安电子科技大学 西安市西沣路兴隆段266号
【出 处】
：
第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
论文部分内容阅读
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池近年来发展迅速，但它的不稳定性限制了其商业化.由缺陷引起的非辐射复合以及环境水分子的侵蚀会影响到装置的稳定性.本文介绍了一种有机硅烷添加剂，四甲氧基硅烷，它可以减少由缺陷引起的非辐射复合，抑制水分子侵入.四甲氧基硅烷中的甲氧基可与钙钛矿未配位的Pb2+结合，钝化未配位的Pb2+缺陷，减少非辐射复合.在一定的湿度下，四甲氧基硅烷的水解产物二氧化硅可以占据晶界位置，防止水分子的侵蚀，减缓钙钛矿的降解，提高钙钛矿的晶体相稳定性.该器件的效率已从17.13％增加到20.12％.在50％相对湿度下放置800小时后，添加2％四甲氧基硅烷的器件可以保持50％的初始效率，而未添加四甲氧基硅烷的器件已经迅速退化，最终无法供电.
其他文献
在过去的十年中,有机-无机钙钛矿太阳能电池(PSC)取得了显著进展,光电转换效率(PCE)从3.8％提高到25.2％[1].尽管如此,含有毒元素铅和由热/光/湿气引起的PSC的长期不稳定性仍然是其应用的主要缺点.因此,无毒且稳定PSC对未来的商业化具有重要的意义[2].最近研究表明,与含铅的钙钛矿太阳能电池相比,无铅MBI太阳能电池表现出出色的稳定性.然而,这种材料制备的薄膜内部产生大量的缺陷,间
Herein,(121)-oriented CsPbBr3 perovskite films were successfully obtained by using HBr as the additive for PbBr2 precursor solution in the two-step solution method.Detailed investigations indicate tha
It is very important to exclude impurities during the material preparation process for the production of high-quality optoelectronic devices.For the all-ambient solution-processed CsPbBr3 films,unexpe
钙钛矿太阳能电池中不同层之间的能级差以及界面处的缺陷会引起电荷累积以及复合现象，这造成界面能量损耗从而限制了器件效率的进一步提高.基于此，我们课题组开展了利用噻吩基自组装单分子层降低SnO2/MAPbI3界面处能量损耗从而制备高效稳定钙钛矿太阳能电池的工作[1].在这项工作中，我们通过引入三种可溶液加工的噻吩基单分子层，优化SnO2电子传输层的表面电子状态并改善MAPbI3薄膜的质量来降低钙钛矿太
发光单元和发电单元相结合的光伏发光技术，对综合提高设备使用效能具有重要意义。本报告阐述表界面缺陷浓度和异质界面对钙钛矿光伏发光性能的影响规律，针对表界面缺陷和能级匹配问题，提出了平带异质结、界面层修饰和钝化等策略，减少非辐射复合，制备光伏发光一体化器件，为促进智能显示技术发展提供新的技术支撑。
相对于有机-无机杂化钙钛矿太阳电池(PSCs)在高温、光照和潮湿环境下易分解失效而言，全无机钙钛矿材料具有更为出色的热稳定性[1]，但是其湿稳定性却影响效率和稳定性的进一步提升，阻碍商业化进展.尤其是钙钛矿薄膜暴露在外的表面和晶界往往具有较低的结晶质量、更多的原子悬键和缺陷态，从而提供了大量的湿度腐蚀通道，成为钙钛矿分解的初始位置[2].为此，我们把季铵盐十六烷基三甲基氯化铵(CTAC)应用到钙钛
过量的碘化铅(PbI2)作为钙钛矿薄膜中的一种缺陷钝化材料,有助于提高钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)的载流子寿命并且能减少卤化物空位。然而,过量的PbI2也是一把双刃剑,在连续沉积法制备的钙钛矿薄膜中,过量的PbI2分布在薄膜表面或上下界面附近,由于PbI2的光分解和表面能垒的形成将阻碍器件中的电荷传输,导致器件性能受限,并加速器件的降解。受到配体工程调
目前,钙钛矿太阳能电池按结构分类,主要分为正置结构钙钛矿太阳能电池(n-i-p)和反置钙钛矿太阳能电池(p-i-n).目前适用于n-i-p结构钙钛矿电池的空穴传输材料,在分子设计上通常引入高度共轭结构,以获得高电导率和空穴迁移率.然而,在p-i-n结构钙钛矿电池中,一般沉积较薄的非掺杂空穴传输层(一般小于50 nm),当所需空穴传输层很薄时,分子的高度共轭结构不利于形成薄膜形态稳定的致密薄膜.因此
在钙钛矿太阳能电池当中界面的陷阱态以及器件结构带来的能级不匹配严重的阻碍光生载流子的传输与抽取,同时背表面界面上的碘离子迁移会对金属电极产生不可逆的腐蚀作用.为了解决上述问题,我们采用2D-MA3Sb2I9,离子液体等多种方式,对背表面界面进行了设计和修饰.构建了更强硬的界面,有助于电池器件的效率和稳定性的提高.我们使用原位生长的方式在MAPbI3上制备了具有低维晶格的MA3Sb2I9作为修饰层.
空穴分子母核的π共轭体系和对称结构与材料的成膜性具有重要关系。将具有C2对称轴结构的联二萘胺基团引入到有机小分子中，使分子呈现一定的扭转结构(图1)，合成的材料溶解性好，所制备薄膜热稳定性好、薄膜形态稳定，有利于构筑稳定性良好的钙钛矿电池。此外，π共轭聚合物表现优异的溶液加工性能、薄膜均匀性和机械灵活性。碳纳米管具有良好的导电性、导热性和化学稳定性等特性。受二者的启发，通过物理吸附将具有双胺基的空