【摘 要】
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推动磁电子学快速发展的一个重要原因是其能够迅速产业化,目前,各类磁电阻效应在广义的磁传感器方面都得到了广泛的应用[1].近年来,作为有着悠久历史的反常Hall效应的研究再
【机 构】
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100190
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推动磁电子学快速发展的一个重要原因是其能够迅速产业化,目前,各类磁电阻效应在广义的磁传感器方面都得到了广泛的应用[1].近年来,作为有着悠久历史的反常Hall效应的研究再次获得了物理学界的普遍关注,除了对其相关机理的再认识,在CoFeB基垂直磁化薄膜的研究中,我们发现其在超高灵敏磁场探测方面也具有潜在的应用前景 [2].在这个报告中,我们首先对MgO/CoFeB/Ta的反常Hall效应进行了系统的研究,并对其机理进行了分析[3].其次,我们对MgO/CoFeB/Ta的垂直磁各向异性(PMA)的机理进行了深入的研究,发现通过MgO的厚度可以调控薄膜的PMA的大小[4].最后,我们通过调节MgO/CoFeB/Ta的大小,获得了超高Hall灵敏度的薄膜.
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