聚合物材料由于其优异机械性能和较高的击穿强度而被应用于薄膜电容器、柔性电容触摸屏等领域.具备优异综合性能的聚酰亚胺(PI)材料可以满足高温、低温、辐射等环境下的工作要求,有望用于制备特种用途薄膜电容器.但传统PI 材料的介电常数约为3.4,无法满足电容器件的应用要求.本研究工作对超高介电常数无机材料钛酸铜钙(CCTO)进行羟基化改性后,与聚酰亚胺复合制备得到一系列高介电常数的聚酰亚胺复合材料.相比于CCTO,改性后的羟基钛酸铜钙(CCTO-OH)能够更加有效地提高复合材料介电常数.当CCTO-OH 体积分数达到40％时,聚酰亚胺复合材料的介电常数和介电损耗分别为76.93 和0.35,且保持了PI 优异的耐热性能(Tg = 379.67℃)和尺寸稳定性(CTE = 17.64 ppm/K).该复合材料的高介电常数主要是由于羟基的引入有利于增强CCTO 与聚酰亚胺的相互作用,改善其在聚酰亚胺基体中的分散.