【摘 要】
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针对功率VDMOS薄栅介质决定着其静电敏感性这一特点,建立了功率VDMOS器件的ESD瞬态模型,分析了功率VDMOS不同的抗ESD结构。结合华润华晶的工艺能力,提出采用集成多晶二极管结
【机 构】
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无锡华润华晶微电子有限公司,江苏无锡 214061
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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针对功率VDMOS薄栅介质决定着其静电敏感性这一特点,建立了功率VDMOS器件的ESD瞬态模型,分析了功率VDMOS不同的抗ESD结构。结合华润华晶的工艺能力,提出采用集成多晶二极管结构实现功率VDMOS器件ESD保护的方案。该方案解决了ESD防护结构的设计与现有功率VDMOS工艺的兼容问题,成功研制出VESD大于4 000 V的功率VDMOS产品。
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