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Z-pinch物理实验已提出了调节钨丝局部质量的要求，即：提出了通过调节轴向方向上微区(百微米级别)的直径实现微丝的局部可控减径的要求。通常Z-pinch实验常用到3～6μm超细钨丝，该材料通过连续抛光方法制备。实验证明，电解抛光是实现微丝减径的较好方法，但局部的减径技术尚需探索。
超细钨丝局部减径技术研究
【摘 要】
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Z-pinch物理实验已提出了调节钨丝局部质量的要求，即：提出了通过调节轴向方向上微区(百微米级别)的直径实现微丝的局部可控减径的要求。通常Z-pinch实验常用到3～6μm超细钨
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚交研究中心四川绵阳621900
【出 处】
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第十一届全国核靶技术学术交流会
【发表日期】
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2011年7期
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