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多晶CulnSe<,2>薄膜工艺探讨
多晶CulnSe<,2>薄膜工艺探讨
来源 :第三届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zxpmine01
【摘 要】
:
该文介绍了用固态源硒化法制备多晶CIS薄膜的工艺过程,详述了化学成膜机理,讨论了工艺中存在的问题及相应的改进措施。
【作 者】
:
李长健
孙云
樊俊义
【机 构】
:
大学光电子器件与技术研究所(天津)
【出 处】
:
第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
多晶
薄膜
固态源硒化
工艺过程
改进措施
成膜机理
化学
法制
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该文介绍了用固态源硒化法制备多晶CIS薄膜的工艺过程,详述了化学成膜机理,讨论了工艺中存在的问题及相应的改进措施。
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