论文部分内容阅读
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其噪声在低频段主要为1/f噪声，且在阈值附近有最大值，器件噪声与器件质量有一定的相关性。