【摘 要】
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ZnS是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,兼有立方闪锌矿(β晶型)和六方纤锌矿(α晶型)两种结构.β-ZnS具有良好的红外透过性能,但在制备过程中,α-ZnS的出现会影响红外透过性能
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京,100088
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ZnS是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,兼有立方闪锌矿(β晶型)和六方纤锌矿(α晶型)两种结构.β-ZnS具有良好的红外透过性能,但在制备过程中,α-ZnS的出现会影响红外透过性能以及镀膜性能,因此,监测这类材料的物相含量十分必要.为此,本研究中采用X射线衍射中的Rietveld分析方法模拟测算这类材料的物相含量,结果表明:模拟计算的α-ZnS含量数据与实测值相符.该法的优点是无损、无标和快速测定,而且可以用于提取材料的微结构信息,如晶粒度、晶格畸变以及层错结构缺陷等信息,对于ZnS半导体红外材料的优化制备以及性能改善具有重要的意义.
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