目的:研究二硅酸锂双层全瓷冠饰瓷内部气孔缺陷对其断裂失效的影响。方法:制作二硅酸锂双层全瓷冠16个,利用micro-CT扫描及VGStudio Max 2.2分析饰瓷内气孔尺寸、圆整度及分布情况;将试件进行抗折破坏实验,扫描电子显微镜(SEM)观察断裂起源与断裂类型并与缺陷分析相比对,分析气孔对断裂的影响;分别构建含及不含气孔缺陷的有限元模型并模拟体外加载,分析气孔在体外加载时对应力分布的影响。结果:饰瓷内气孔尺寸分布为10μm至680μm;圆整度分布为0.10至0.81,96.49%气孔圆整度>0.5,99.97%的气孔平均圆整度为0.63;气孔越小分布越均匀,形态复杂的大体积气孔主要分布于饰-核瓷界面,10个试件含有此类气孔。12个试件断裂起源于饰瓷外表面的窝沟,其中7个源自近表面的气孔缺陷;1个试件断裂起源于加载区域;3个试件断裂起源于界面区大体积气孔缺陷。有限元应力分析结果显示位于体外加载拉应力区的气孔缺陷对双层瓷冠断裂影响较大,圆整度对断裂影响较小;公式计算饰瓷内断裂起源缺陷尺寸为31.36μm-49.00μm。结论:拉应力区尺寸大于31.36μm-49.00μm及界面区大体积气孔缺陷对二硅酸锂双层全瓷冠断裂具有影响。饰瓷堆塑工作中应避免在咀嚼拉应力区如窝沟、边缘以及界面区引入体积较大的气孔缺陷。