【摘 要】
：
通过研究具有Morse势的14粒子团簇,我们发现当势参数在3.8至4.8之间时,由于团簇具有三组不同原子等价指数的粒子,因而其融化过程也分为了三个阶段.第一阶段是由于团簇表面粒子之间的换位以及附着粒子在团簇表面的移动造成的;第二阶段的融化涉及团簇表面粒子与附着粒子间的相互换位;而团簇中心粒子获得足够能量后与团簇表面粒子的相互换位则标志着团簇第三阶段融化的开始.
论文部分内容阅读
通过研究具有Morse势的14粒子团簇,我们发现当势参数在3.8至4.8之间时,由于团簇具有三组不同原子等价指数的粒子,因而其融化过程也分为了三个阶段.第一阶段是由于团簇表面粒子之间的换位以及附着粒子在团簇表面的移动造成的;第二阶段的融化涉及团簇表面粒子与附着粒子间的相互换位;而团簇中心粒子获得足够能量后与团簇表面粒子的相互换位则标志着团簇第三阶段融化的开始.
其他文献
通过XRD测量了ErTbMnSn(x=0-0.6)的晶体结构.通过Tb取代量的增加,化合物表现出反铁磁到亚铁磁的转变,自旋取向温度也逐渐增大.ErTbMnSn随温度变化表现出丰富的磁行为,在200K时有最大的磁电阻效应(MR=-5.5﹪);值得注意的是在低于25K,磁电阻符号发生了改变.
计算了平膜状磁双隧道结中铁磁金属层的厚度(d)对隧穿电导(TC)和隧穿磁电阻(TMR)的影响.结果表明,TC和TMR均随d做振荡变化,在合适的d下,TMR可达到甚高于d=∞时的值.
我们用掩膜法制备了FeCo/Al203/Co磁性隧道结,在室温下其制备的隧穿磁电阻为8.7﹪,经过200□的退火,磁电阻上升到13.8﹪;用TEM观察其结构的变化,发现在退火后Al203层变薄,电阻值略有下降.另外电子全息的结果显示制备态势垒的不对称性来自底层CoFe在Al层氧化时不可避免的被氧化.
针对平膜状NM/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ;此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘(半导)体层),计算了偏压V,FI垒高U,FI厚度d和FI分子场大小h对磁电阻(TMR)的影响.结果表明:当V不太大时,DSFJ的确有很高的TMR;V,U,d,特别是h,对它均有影响.此外随着V的增大,TMR先缓慢升高,待到达一个极大值后再下降.此特点使DSFJ有别于传统的FM/NI/FM型磁隧道结(此
我们用磁控溅射的方法,用FeO靶溅射制备了FeO多晶薄膜,在室温下获得了大约为-1.2﹪的磁电阻.测量了从室温到液氮温度(78K)电阻随温度的变化关系,没有发现Verway转变,电阻与exp(T-1/2)成正比,这表明磁电阻来源于FeO晶粒间通过晶界的自旋相关的电子隧穿.
作为当前国际上的前沿研究学科之一,自旋电子学受到了人们极大的关注.了解电子自旋相关现象的物理本质以及开发具有新型功能的工作器件是自旋电子学的两大目标.而有关材料方面的工作又构成了目前该领域最重要的努力方向.本文对国际上自旋电子学领域的材料研究的现状和发展作了介绍.
本文实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律,得到了转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H,H].这个临界面内场范围比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,并且这种变窄主要是由于H的迅速下降引起的.由此证明了面内场作用下VBL的消失存在一个最易消失方向,该方向为面内场与畴壁垂直的方向.并为精确测定H提供了一种新方法.
本文概述了磁电阻效应、自旋电子学及其应用,自旋电子极大地丰富了纳米电子学的内涵,通过磁场控制载流子的运动,构成新型的自旋电子器件.
本文通过研究枝状畴形成的硬磁畴的转动行为,综合分析了脉冲偏场对形成正、负VBL链的影响,认为脉冲偏场的下降沿对应负VBL的形成,上升沿对应正VBL的形成.
本文详细测量了ID在条泡转变标准场H′和硬泡标准场H′处畴长随温度的变化关系,证明了VBL间的平衡间距随温度的升高而增大.