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利用能带理论,分析了SiO<,2>晶体结构和晶体中电子平均速度与能量的关系,解释了晶体导电、绝缘的微观机理;并从介观世界角度讨论了纳米尺寸的变化对晶体表面能的影响,对SiO<,2>能带的影响和对其导电性的影响.
纳米SiO在PVC介质中导电的微观机制
【摘 要】
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利用能带理论,分析了SiO晶体结构和晶体中电子平均速度与能量的关系,解释了晶体导电、绝缘的微观机理;并从介观世界角度讨论了纳米尺寸的变化对晶体表面能的影响,对SiO能带的影响和对其导电性的影响.
【机 构】
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中原工学院基础部(河南郑州)
【出 处】
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中国物理学会第十一届静电、电磁防护与电磁兼容学术年会
【发表日期】
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2003年9期
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