【摘 要】
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实验研究表明，多晶硅中注入一定剂量的ＢＦ〈，２〉〈’＋〉后再形成ＣｏＳｉ〈，２〉，其高温稳定性出未注入ＢＦ〈，２〉〈’＋〉的情况有进一步的提高。在能使钴硅充分形成的温度下（８００°Ｃ），对于ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入剂量低于６Ｅ１５ｃｍ〈’－２〉的情况，ＣｏＳｉ〈，２〉薄层电阻没有太大的增加，另外，单晶硅经ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入再形成ＣｏＳｉ〈，２〉后，ＰＮ结的反向击穿特性有较明显的改善。
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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实验研究表明，多晶硅中注入一定剂量的ＢＦ〈，２〉〈’＋〉后再形成ＣｏＳｉ〈，２〉，其高温稳定性出未注入ＢＦ〈，２〉〈’＋〉的情况有进一步的提高。在能使钴硅充分形成的温度下（８００°Ｃ），对于ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入剂量低于６Ｅ１５ｃｍ〈’－２〉的情况，ＣｏＳｉ〈，２〉薄层电阻没有太大的增加，另外，单晶硅经ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入再形成ＣｏＳｉ〈，２〉后，ＰＮ结的反向击穿特性有较明显的改善。
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