本文以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于Al底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOIED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4V下亮度超过1000cd/m2,1000cd/m2的亮度下功率效率达到28.5lm/W,同时器件的效率滚降较小.利用p型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的HOMO能级和电子传输层的LUMO能级不匹配问题,并通过TcTa光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性.基于Cu顶电极的TEWOLED与采用Al作为互连金属的CMOS工艺兼容,将该器件与硅基CMOS驱动电路结合,获得了SVGA白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础，为在高亮度、高效率、低驱动电压的顶发射白光有机电致发光器件上的研究成果，克服了以常规铝或银电极材料较难实现高性能白光顶发射器件的困难，白光有机微显示的实现为研究彩色微显示器奠定了基础。