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该文在分析IGBT内部寄生缺陷的基础上给出了IGBT动静态擎住效应产生的机理，并据此给出了适用于静止变频电源的IGBT擎住实用保护措施和驱动保护逻辑框图。
IGBT寄生缺陷的影响及其消除对策
【摘 要】
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该文在分析IGBT内部寄生缺陷的基础上给出了IGBT动静态擎住效应产生的机理，并据此给出了适用于静止变频电源的IGBT擎住实用保护措施和驱动保护逻辑框图。
【机 构】
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雷达学院
【出 处】
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第九届全国电气自动化、电控系统学术年会
【发表日期】
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1998年12期
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