石榴石磁泡薄膜内第Ⅰ类哑铃畴的行为

来源 :第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fonely
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实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现从室温到T<,O>范围内的任一不同温度T下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)],当H<,ip><(1)>(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H<,ip><(1)>(T)<(2)>(T)时 ,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场H<,ip>的增大,越来越多的VBL丢失;当H<,ip>>H<,ip><(2)>(T)时,VBL完全解体.面内场范围[H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)]随温度的升高而减小,其中H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T<,O><(1)>和T<,O>处减小到零.
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