论文部分内容阅读
亚纳米厚度的二维材料有望解决未来电子器件的短沟道效应、散热等瓶颈问题，是未来电子器件的候选材料之一。二维材料中的过渡金属二硫族化合物具有丰富多样的结构和性质，如半导体性、金属性、电荷密度波特性、超导特性等，因而被广泛关注。然而常用的机械剥离法制备的单层和少层的二维材料，其存在效率低、畴区小等问题而制约了其性质研究和应用研究。针对这一问题，我们发展了多种气相沉积法制备了多种二维过渡金属二硫族化合物材料(第四、五、六副族)，获得了层数可控、边缘可控的大尺寸单晶畴区，并研究了其结构和电学性质。此外，面向二维材料的光电器件应用，我们可控制备了多系列的二维半导体合金材料，获得了带隙在600-1000nm的连续调控。