【摘 要】
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我们利用三种空穴传输材料分别与常用空穴传输材料TFB 混合,采用溶液旋涂法制备了混合空穴传输层,研究复合空穴传输层对于QLED 器件亮度和电流性能的影响。由于TFB和空穴传输材料的HOMO 能级形成阶梯势垒,且这三种有机材料的空穴迁移率与TFB 相差不大,CBP 甚至超过TFB,到1x10-3cm2/V·s,保持总的旋涂液量不变可使空穴传输层的厚度基本一致,因此使空穴的注入势垒将会降低,空穴注入率
【机 构】
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北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京交通大学光电子技术研究所,北京市,100044
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我们利用三种空穴传输材料分别与常用空穴传输材料TFB 混合,采用溶液旋涂法制备了混合空穴传输层,研究复合空穴传输层对于QLED 器件亮度和电流性能的影响。由于TFB和空穴传输材料的HOMO 能级形成阶梯势垒,且这三种有机材料的空穴迁移率与TFB 相差不大,CBP 甚至超过TFB,到1x10-3cm2/V·s,保持总的旋涂液量不变可使空穴传输层的厚度基本一致,因此使空穴的注入势垒将会降低,空穴注入率提升,同时降低了启亮电压；其次,电子由阴极经过ZnO 注入到量子点层的势垒很小,且无机ZnO 纳米颗粒的电子迁移率很高,通常在量子点层中的电子较多,即载流子不平衡,而我们的器件结构使空穴注入加强,促进了载流子平衡,提高了器件的亮度及电流效率。
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