切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应研究
超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应研究
来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zsdxzj
【摘 要】
:
本文开展了500fs超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器局部的效应实验,实现了两种辐照能量密度下的硬破坏;并从超短脉冲激光与探测器材料作用的微观机制出发,探讨了超短脉冲激光对C
【作 者】
:
黄绍艳
唐本奇
张永生
张勇
肖志刚
王祖军
【机 构】
:
西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024
【出 处】
:
第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
超短脉冲激光
激光对
探测器
阈值能量
微观机制
破坏机制
能量密度
激光辐照
材料作用
硬破坏
效应
线阵
实验
局部
导出
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文开展了500fs超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器局部的效应实验,实现了两种辐照能量密度下的硬破坏;并从超短脉冲激光与探测器材料作用的微观机制出发,探讨了超短脉冲激光对CCD探测器的两种破坏机制,并推导出了相应的阈值能量.
其他文献
CMOS器件脉冲总剂量损伤以及退火效应测试技术研究
对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉
会议
器件
脉冲总剂量损伤
瞬时退火效应
在线测试系统
时间关联
快速采集
技术指标
工作原理
电压曲线
自动化
时间点
半导体
基础
电流
参数
LSI抗辐射加固技术
本文阐述了CMOS电路的辐射效应,介绍了LSI电路设计、工艺等方面的抗辐射加固技术,以及取得的一些科研成果.
会议
抗辐射加固技术
科研成果
辐射效应
电路设计
工艺
利用复合场介质提高场区抗辐射性能
辐照会引起MOS管阈值电压产生漂移,使场寄生管导通而引起漏电流增大.为此,我们希望找到一种方法能有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐射性能,使辐照后电路漏电流增
会议
空间带电粒子望远镜原理样机的研究
空间存在这覆盖元素周期表中所有原子序数的离子以及电子,带电粒子有连续的能谱,能量范围从几eV、几百eV直到1022eV,因此用于空间辐射环境监测探测的仪器设计需考虑空间应用
会议
空间带电粒子
望远镜
仪器设计
辐射环境监测
元素周期表
原子序数
能量范围
空间应用
方法设计
原理
验方
探测
能谱
离子
电子
一种新型ESD保护结构
对于高速CMOSLSIS电路,ESD(electrostaticdischarge)保护结构越来越受到人们的重视,已经设计和开发出许多保护结构.在这篇文章中主要介绍一种新型共同释放路线CDL(commondisc
会议
保护结构
共同释放路线
内部电路
保护器件
设计
开发
CCD质子和γ射线辐照试验研究
本文分析了CCD电离辐射效应和位移辐射效应.用10MeV质子和钴60γ射线对CCD进行了辐照试验.分析比较了质子和γ射线辐照实验结果,得出质子辐照时CCD失效是电离效应和位移效应
会议
质子辐照
γ射线辐照
空间辐射效应
位移效应
电离效应
辐照试验
辐照实验
同作用
推断
失效
评估
卫星在轨带电研究
卫星在轨工作时,尤其是地球同步轨道(GEO)卫星,因空间热等离子体,使卫星相邻表面不等量的带负电位至数千伏,当其超过材料绝缘强度时,发生不同于地面静电放电的卫星表面间静电
会议
一种星用抗辐射加固大电流PIN驱动器的设计考虑
本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路
会议
抗辐射加固
大电流
驱动器
电路版图
辐射总剂量
优化设计
性能改变
试验验证
辐射设计
氧化层
硅表面
工艺
电荷
导电
一种星用CMOS多功能电平交换器的研制
本文介绍了一种全定制正向设计的星用CMOS多功能电平交换器,并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述.该产品具有功耗低(≤5mW),开关速度快(输出延
会议
多功能
最高工作频率
输出一致性
可靠性设计
电平交换器
制作工艺
正向设计
开关速度
技术性能
工作原理
总剂量
全定制
延迟
描述
雷达
功耗
产品
双路输出LDO的抗总剂量加固技术研究
本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对准CMOS加固工艺.该低压差电源具有:输出电流
会议
双路输出
总剂量
输出电流
硅栅自对准
低压差电源
输出电压
可调输出
加固工艺
剂量水平
电源电流
电路设计
调整管
开发
基准
与本文相关的学术论文