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SrTiO3薄膜在GaN上的外延生长研究

来源 :第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：laoxuejiu

【摘 要】

：

本研究采用激光分子柬外延(LMBE)方法在GaN/Al2O3(0001)基片上直接制备了钛酸锶(STO)薄膜。通过高能电子衍射(RHEED)原位监测钛酸锶薄膜的生长过程，采用X-射线衍射(XRD)分析了

【作 者】

：

罗文博 朱俊 陈竑 王小平 张鹰 李言荣 

【机 构】

：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054

【出 处】

：

第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

薄膜制备 钛酸锶薄膜 薄膜外延 双畴结构 

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本研究采用激光分子柬外延(LMBE)方法在GaN/Al2O3(0001)基片上直接制备了钛酸锶(STO)薄膜。通过高能电子衍射(RHEED)原位监测钛酸锶薄膜的生长过程，采用X-射线衍射(XRD)分析了钛酸锶薄膜的生长取向以及面内外延关系。RHEED和XRD分析表明，在基片温度为600℃以上时钛酸锶材料能在六方晶系的氮化镓上实现外延生长。XRDθ-2θ扫描表明STO薄膜为(111)取向生长，其(110)面Φ扫描和RHEED图像证明了薄膜面内具有六重对称性,说明STO薄膜具有双畴结构，外延关系为(111)[1-10]STO//(0001)[11-20]GaN。

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