【摘 要】
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本文提出了一种用于含RAM电路的故障模拟方法.如果电路有m个目标故障,用于模拟的计算机字长为n位,则该法把一个实际的RAM映射成1+[m/n]个虚拟的RAM(一个存RAM的正常模拟结果,
【机 构】
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北京邮电大学自动化学院,北京,100083
【出 处】
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2005年全国测控、计量、仪器仪表学术年会
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本文提出了一种用于含RAM电路的故障模拟方法.如果电路有m个目标故障,用于模拟的计算机字长为n位,则该法把一个实际的RAM映射成1+[m/n]个虚拟的RAM(一个存RAM的正常模拟结果,称为虚拟正常RAM,另[m/n]个存储此RAM对m个目标故障的故障效应,称为虚拟故障RAM),每个虚拟故障RAM存储固定的n个故障的故障效应.该方法还扩充了时序电路故障模拟中关于多事件故障模拟的定义,使之适用于含RAM的电路.并给出了相应的新的多事件故障识别和模拟方法,最后用实验电路的模拟结果验证了方法的正确性.
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