【摘 要】
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为提升PHEN(the transportation program of Photon,Hadron,Electron and Neutron)对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的
【机 构】
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西北核技术研究所,西安 710024
【出 处】
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第十二届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会
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为提升PHEN(the transportation program of Photon,Hadron,Electron and Neutron)对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围.通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比,验证了TTB模块模拟电子输运的正确性.计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化情况,该结果可用于判断使用TTB模块模拟的合理性.计算结果表明:当材料尺寸小于电子在材料中的射程时,TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的,应采用压缩历史算法处理电子输运;当材料尺寸大于电子在材料中的射程时,TTB模型计算速度快,计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好,可用厚靶轫致辐射处理电子输运.
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