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本文采用了Materials Studio软件建立了SnO2晶胞模型。掺杂氟元素是将F原子以替位离子的形式占据氧离子的位置，适度的掺杂F原子能增加SnO2中的载流子浓度，提高材料电导率。本文构建了氟取代不同位置的氧及不同个数氟原子参与取代的情况下的7个模型，采用基于密度泛函理论的第一性原理精确计算了SnO2：F体系的能带结构，态密度及光学特性等。结果表明，适度的掺杂并且采用合理的取代位置能使SnO2薄膜具有更加良好的光学特性。