【摘 要】
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采用自主设计的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在硅基和铜基上直接合成石墨烯纳米墙并研究其在太阳能电池上的应用，围绕石墨烯/硅太阳能电池所存在的问题，提出解决手段：(1)采用PECVD 法直接在硅基上合成石墨烯纳米墙并组装成太阳能电池，避免了传统转移过程的繁琐步骤及其对石墨烯的损害，讨论了不同生长参数对石墨烯纳米墙/硅太阳能电池的影响；(2)利用表面具有优异陷光结构的硅金字塔和硅倒金字塔作
【出 处】
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2020第三届光电材料与器件发展研讨会
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采用自主设计的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在硅基和铜基上直接合成石墨烯纳米墙并研究其在太阳能电池上的应用，围绕石墨烯/硅太阳能电池所存在的问题，提出解决手段：(1)采用PECVD 法直接在硅基上合成石墨烯纳米墙并组装成太阳能电池，避免了传统转移过程的繁琐步骤及其对石墨烯的损害，讨论了不同生长参数对石墨烯纳米墙/硅太阳能电池的影响；(2)利用表面具有优异陷光结构的硅金字塔和硅倒金字塔作为石墨烯纳米墙/硅太阳能电池的吸收层，解决平面硅高反射性对器件造成大量光学损失的问题，相较于以平面硅基底构建的器件，光电转换效率得到了很大提升(从原先的3.36％分别提升至3.87％和4.05％)；(3)采用PECVD 法在铜基上合成石墨烯纳米墙，并通过湿法转移的方式将石墨烯纳米墙应用于硅基太阳能电池上，在此基础上，引入一层P3HT 作为石墨烯纳米墙/硅太阳能电池的电子阻挡-空穴传输层，并通过优化P3HT 层的厚度，对电池进行减反射处理，石墨烯纳米墙/硅太阳能电池获得了8.26％的光电转换效率.
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