【摘 要】
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本文介绍面积为1245mm*635mm的玻璃基板上开发的纳米硅基薄膜太阳电池技术的研究进展.主要包括以下几个方面的内容:1)不同纳米硅沉积速率的工艺优化;2)在a-Si与nc-Si,或a-SiG
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本文介绍面积为1245mm*635mm的玻璃基板上开发的纳米硅基薄膜太阳电池技术的研究进展.主要包括以下几个方面的内容:1)不同纳米硅沉积速率的工艺优化;2)在a-Si与nc-Si,或a-SiGe与nc-Si子电池间的N/P隧穿结的材料特性的改善;3)不同的透明导电(TCO)玻璃陷光效应,如不同的掺F的Sn02(FTO)以及自主研发的掺B的Zn0(BZO)薄膜;4)nc-Si本征层的晶化率和均匀性;5)a-Si/nc-Si双结电池与a-Si/a-SiGe/nc-Si三结电池IV特性分析;6)激光刻线的工艺优化和死区的改善.通过以上几个方面的工艺、电池结构与性能的优化,在0.79m2的玻璃基板上制备出初始全面积转换效率12％以上的高效率纳米硅基薄膜叠层太阳电池.
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