【摘 要】
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近年来,平板显示朝着高分辨率、大尺寸、低功耗、低成本以及柔性等方向发展.氧化物薄膜晶体管(TFT)以其迁移率高,关态特性好,透明,以及制作工艺相对简单,工艺温度低,可实
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近年来,平板显示朝着高分辨率、大尺寸、低功耗、低成本以及柔性等方向发展.氧化物薄膜晶体管(TFT)以其迁移率高,关态特性好,透明,以及制作工艺相对简单,工艺温度低,可实现大尺寸等优点,受到越来越多的关注.本文介绍我们用阳极氧化法制备氧化物TFT 的研究进展.该研究的主要内容包括以下几点：首先,用阳极氧化处理方法调节a-IGZO 沟道层的材料特,获得了多阈值a-IGZO TFT 的制作技术.结果表明,a-IGZO TFT 的阈值电压依赖于阳极氧化电压,使得同一个衬底上可以同时得到增强型和耗尽型TFT.二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,在阳极氧化后的IGZO 薄膜中,氧含量明显增加,表明阈值电压对阳极氧化处理的依赖是由于阳极氧化处理引起了沟道层氧空位浓度的减少.
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