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本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构.槽宽1～2.5μm,槽深7～25μm,刻蚀速率2μm/min,陡直度89度.该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中.
深槽刻蚀研究及在IC隔离中的应用
【摘 要】
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本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构.槽宽1～2.5μm,槽深7～25μm,刻蚀速率2μm/min,陡直度89度.该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中.
【机 构】
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清华大学微电子所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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