不同偏置条件下双极晶体管辐射深能级缺陷研究

来源 :第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) | 被引量 : 0次 | 上传用户:zmeng1984
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双极晶体管(BJT)广泛地应用于空间环境,是航天器电子设备的重要组成部分.双极晶体管对空间辐射效应较为敏感,因此对双极晶体管的辐射效应进行有效评价具有十分重要的理论研究价值和工程实际意义.本文选用35MeV Si离子进行辐照实验,针对双极晶体管的辐射效应进行研究.在原位条件下测试了双极晶体管的电流增益随辐照注量的变化关系,研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响.采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息.基于电性能测试和DLTS测试结果可以看出,双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度.
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