i-Si层厚度对Si/SiC异质结光电特性的影响

来源 :第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xybcn960

【摘要】

：

用LPCVD法在n型6H-SiC(0001)面(Si面)上异质沉积了Si薄膜,通过控制B2H6的流量实现Si薄膜的低掺杂和重掺杂.做成了Si/6H-SiC异质结pin二极管。I-V测试表明:该异质结具有较好的整流性,其转折电压在1V左右,当反向电压为4V时,反向漏电流为0.35A/cm2。在0.2W/cm2的光照下对样品的光电流测试发现:随着i-Si层厚度的增加.光电流先增大而后减小,即存在一个最

【作者】

：

李文昌陈治明李连碧刘文涛

【机构】

：

西安理工大学,电子工程系西安 710048

【出处】

：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2010年7期

【关键词】

：

Si/SiC异质结 I-V测试 i-Si层厚度光电特性

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