【摘 要】
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硅光电倍增管(Si PM)因其良好的性能正在替代光电倍增管,与闪烁体结合成为新一代闪烁探测器,广泛应用于核探测领域。常用的闪烁体NaI(T1)、CsI(Na)的发射光谱峰值分别在410nm
【机 构】
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北京师范大学核科学与技术学院新器件实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(11375029)资助课题
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硅光电倍增管(Si PM)因其良好的性能正在替代光电倍增管,与闪烁体结合成为新一代闪烁探测器,广泛应用于核探测领域。常用的闪烁体NaI(T1)、CsI(Na)的发射光谱峰值分别在410nm和420nm,性能更加出色的闪烁体溴化镧的发射光谱峰值在380nm,这要求所使用的SiPM探测器在蓝紫光区具有较高的探测效率(PDE)。北京师范大学新器件实验室研制成功的体电阻淬灭SiPM具有良好的单光子探测性能,在此基础上,本文的工作旨在提高体电阻淬灭SiPM在蓝紫光区(380nm-420nm)的探测效率,设计了一种深槽隔离结构体电阻淬灭机制的SiPM探测器,通过模拟器件工艺和电学特性,揭示了垂直槽深度和衬底电阻率对体电阻淬灭深槽隔离器件的影响,同时获得较可靠的工艺条件;并经过实验室流片取得了初步的实验结果:器件的探测效率在360nm～450nm波长范围内超过15%,在400nm波长PDE达到峰值18.1%。
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