【摘 要】
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本文采用波长为532 nm 的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,光电材料与技术国家重点实验室,广州 510006
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文采用波长为532 nm 的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命大幅度提升.在此基础上,初步制备的太阳电池开路电压Voc 达到543 mV,研究表明,激光掺杂是一种有效的制备太阳电池发射极的方法.但由于短路电流密度Jsc,填充因子FF 太低,转换效率较低.
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