【摘 要】
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本文采用磁控溅射方法结合多层膜结构制备了优质β-FeSi2薄膜.[Fe0.5nm/Si1.6nm]120多层膜经过900℃退火2小时后,样品呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则无择优取向.原子力显微镜分析表明,多层膜法制备的样品表面均方根粗糙度约为16nm,约为单层膜样品的一半.根据光吸收谱测量,样品的禁带宽度为0.88eV.在40W光源照射下,多层膜法制备的样品具有大于
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京市,210016 Photonics Research I
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本文采用磁控溅射方法结合多层膜结构制备了优质β-FeSi2薄膜.[Fe0.5nm/Si1.6nm]120多层膜经过900℃退火2小时后,样品呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则无择优取向.原子力显微镜分析表明,多层膜法制备的样品表面均方根粗糙度约为16nm,约为单层膜样品的一半.根据光吸收谱测量,样品的禁带宽度为0.88eV.在40W光源照射下,多层膜法制备的样品具有大于30﹪的光电导效应.
其他文献
为了满足大型光伏电站的需要,设计了一台150kW三相并网逆变器.本文介绍了该逆变器的硬件结构并详细分析了逆变器的系统模型以及输出电流控制策略.实验样机运行结果表明,逆变器输出电流波形质量好、谐波含量低,能够满足大容量并网光伏电站的需要.
许多专家认为薄膜电池是太阳电池的发展方向,但是,非晶硅电池产业为什么没有人们预想的发展速度呢?本文从S-W效应、温度系数、I～V特性、光吸收几方面进行了初步分析与讨论,共业内人士参考.
铸造多晶硅材料原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内杂质和缺陷的分布规律.硅锭底部的高浓度氧、Fe杂质及其相关的高密度微缺陷导致该区域少子寿命偏低;而顶部高浓度的碳、Fe及其相关的高密度微缺陷,尤其是高密度位错致使其少子寿命偏低.硅锭中部的杂质浓度偏低,微缺陷较少,可以直接作为优良的太阳电池基体材料.
在氢气氛中对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱及晶向的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
当前高纯硅材料已经成为制约太阳能光伏产业发展的瓶颈,针对太阳能级硅材料紧缺的总体形势,本文对来源于半导体器件行业的废旧硅片进行回收处理,主要是对不同样品进行分类并对硅片表面掺杂层采用喷砂和化学腐蚀处理,并对样品进行了扫描电镜(SEM)和电学性能方面的测试和分析.结果表明使用该方法回收处理废旧硅片切实可行,并能有效地节约利用高纯硅材料,对当前供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用.
因为目前太阳电池硅芯片材料的短缺,以致于造成太阳电池上游材料成为厂商兵家必争之地.而由于太阳电池属于洁净能源之一,并且,太阳电池为取之不尽、用之不竭之能源.鉴于此诸多原因,本研究即利用再生晶圆作为太阳电池之材料,并藉由量测结果之特性分析来评估其可行性,使得太阳电池硅芯片材料短缺之情况能有所突破.
用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.实验发现,在沉积温度350℃,沉积时间5min,[SiH4:N2]/[NH3]=4∶1时,沉积氮化硅后硅片高寿命、氢含量高钝化效果好、反射率低.在退
本文采用等离子增强气相沉积法(PECVD)与退火热处理相结合制备得到了SnO2多晶薄膜.利用X射线衍射、紫外可见透射光谱等方法研究了SnO2薄膜的微观结构以及光学和电学的性质.结果表明:热处理后的SnO2薄膜,从非晶转化为四方相多晶结构,透过率变化不大,载流子浓度增大.
本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜具有较好的表面形貌.
本文通过改进设备用电子束蒸发在衬底温度为100℃、氧分压为5×10-2Pa工艺条件下制备ITO薄膜,并使用台阶仪、分光光度计、XRD等测试手段分析了薄膜的结构和性能,所制得ITO膜在膜厚为100nm左右时,电阻率在2.7-4.5×10-4Ω·cm之间,可见光内的透过率在90﹪左右.对比ZnO:Al(ZAO)膜和ITO膜两种透明顶电极在柔性衬底太阳电池上的应用,分析ITO透明顶电极对电池的影响及其原