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半导体中载流子的有效质量为能量对波矢求二次导数,因此弥散、尖锐的能带上的载流子的有效质量更小,迁移速率更高.p区元素的外层电子构型为ns2npl-5,该区元素之间构成化合物时,其电子轨道杂化类型为sp杂化,由于p轨道具有各向异性的特点,sp杂化能够形成弥散、尖锐的能带,产生有效质量更轻的电子和空穴,有可能获得高性能的光电材料.