【摘 要】
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本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.本文将该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEQ(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.
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