n型微晶硅氧薄膜在非晶硅太阳电池中的应用

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:redlong888
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文采用PECVD技术制备的n型氢化微晶硅氧材料代替Zn0做为背反射电极折射率匹配层,以在非晶硅电池中的应用为例来研究μc-SiOχ:H/Al复合背反射电极设计方案的可行性及相关问题。研究结果表明:在非晶硅电池中加入光电特性合适的μc-SiOχ:H层作为背反射电极折射率匹配层可以实现对电池效率的提高。复合背反射电极的使用主要提高了电池的短路电流密度,电流的提高来源于电池对550~750 nm波长范围内弱吸收光的增强响应。同时,μc-SiOχ:H层的加入也在一定程度上提高了电池的开路电压和填充因子,这种现象可以部分地归因于宽带隙的μc-SiOχ:H材料可以增强非晶硅本征层中的内建电场从而有利于光生载流子的收集。在本文的研究范围内,μc-SiOχ:H/Al复合背反射电极的采用能够将电池的效率相对提高约10%。
其他文献
Cz法仍然是当今生长单晶硅的主要方法,而热场是其核心组成部件之一。保温性能、长晶速率及晶体质量是衡量热场结构优劣的主要指标。作者借助于计算机仿真技术,对现有热场结构进行了模拟分析和优化。通过对加热器、热屏及保温材料结构、性能的分析,得出以下结论:加热器结构优化后,可改善熔体中的温度分布,降低与石英坩埚接触的熔体温度,从而减少了石英坩埚与熔体反应导入到熔体中的氧含量;热屏和保温材料结构优化后,增强了
太阳能硅片的表面损伤层,关系到切割后破片比例,绒面的形状,转换效率等。通过对硅片表面SEM分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成杌理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。减小硅片的损伤层,减小切割后的
多线切割过程中的碳化硅在油性悬浮液中的分散性,决定着硅片的质量及切割过程中的稳定性,通过对PEG分子结构和键能的研究,强极性键使整个PEG为高度极化分子,在极性键中最容易失去-OH中的H,和表面配位不足而产生极性电荷碳化硅进行结合。碳化硅的等电点在pH=3.9附近,当砂装的pH值在不同的范围,碳化硅表面的电荷类型和电荷密度不同,从而PEG对碳化硅的饱和吸附量将出现差别。影响PEG对碳化硅的饱和吸附
根据A.D.Johns和C P.Underwood总结的组件散热模型,利用Visual BASIC模拟平台,对双玻组件和中空组件在低辐照下的性能进行模拟和分析。该平台可模拟辐射强度、环境温度、风速等因素,并时BIPV组件在低辐射时的电性能差异和工作温度进行分析。结果表明:①在温度表现方面,中空组件的工作温度比双玻组件平均高6.24 K,而在低辐射下两种组件温度相差不多;②在电性能方面,高辐射下(>
在多线切割中,砂浆密度关系到砂浆能力。将槽距,装载量,片厚。新碳化硅和新悬浮液密度等设定为恒量,通过模拟计算发现砂浆密度的变化趋势和砂浆缸里面硅粉含量的变化趋势一致,在基础设置数据的基础上,发现在切割至第5刀时砂浆密度以很小的幅度增加。通过对数据的回归分析,得出砂浆密度计算公式。影响砂浆密度的主要因素有:槽距、单位面积更换系数、新砂浆配置密度。控制砂浆密度在合理的范围内,可保证切割过程的稳定性及硅
本论文涉及直拉单晶炉,炉内热场设计,以及热场模拟。通过对热场部件:炉底盘及外导流筒重新设计并且通过热场模拟软件验证效果后,展开实验,结果表明使用改造过的炉底盘和新型外导流筒,单晶生产能耗有大幅下降,达到25.4%的节能效果。
本文分析了切割液的润滑、冷却、防锈、易排屑优点,将其运用到带锯破锭中进而优化带锯加工工艺,延长破锭锯条使用寿命,稳定加工精度,最终降低带锯开方成本。
本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、TMB掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量对p型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 mm左右的p型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上作进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN为
在不同的氢气分压下,用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了氢化非晶硅(a-si:H)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、显微拉曼光谱仪(Raman)、NKD7000w薄膜分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和紫外-可见光透射光谱仪(UV-VIS)研究了氢气分压对薄膜的物相结构、膜厚(沉积速率)和光学性能的影响。结果表明,可以用磁控溅射方法沉积非晶态结构的氢化硅薄膜,a-Si:H薄膜有良好的可见光透过率;
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜,主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应力的影响。实验结果表明,射频功率40w,气流量H2:siH4=60sccm:5sccm时,非晶硅薄膜的沉积进入了耗尽模式,速率约为12nm/min;同时薄膜的均匀性得到了明显改善。在此基础上获得了光电转换效率为4.54%(5cm×5cm,AM0,25℃)的聚酰亚胺衬底