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采用MBE 外延生长技术,优化了InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱点材料的生长速率,生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料.室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0μm 左右.该结果表明通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性.所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300mA.