量子尺寸效应对准一维纤锌矿氮化物纳米线中表面极化子激子态的影响:双参数变化法

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shenbincool

【摘要】

：

为了反映准一维纤锌矿纳米线结构在径向与轴向上不同的受限物性以及纤锌矿晶体的各向异性,一个双参数变分法及LLP 变换法被用来考察纤锌矿纳米线中的表面极化子激子态.考虑到

【作者】

：

张立

【机构】

：

广州番禺职业技术学院,电子技术与材料开发研究所,机械与电子系 511483

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

量子尺寸效应准一维纤锌矿氮化物纳米线结构表面极化子激子态双参数

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

为了反映准一维纤锌矿纳米线结构在径向与轴向上不同的受限物性以及纤锌矿晶体的各向异性,一个双参数变分法及LLP 变换法被用来考察纤锌矿纳米线中的表面极化子激子态.考虑到当纳米线尺寸较小时,表面声子对极化子激子结合能贡献明显,为简单起见,因此在计算中只考虑了表面声子对极化子激子态影响.以GaN-基材料纳米线为例进行数值计算.

其他文献

Schottky and PIN AlGaN solar-blind avalanche photodiodes with high multiplication gain

AlGaN alloys are the most promising materials for ultraviolet (UV) detection in the solar-blind (200-290 nm) region.[1] For applications such as flame detection

会议

三维SiGe量子点晶体的生长与光荧光特性

量子点晶体的概念是类比于原子晶体而得到的.即,将每个量子点看成一个“人工原子”,将由量子限制效应而产生的量子点局域化分立能级类比于原子能级,当量子点系综空间三维排列

会议

三维排列SiGe量子点晶体生长原子能级量子限制效应三维耦合

ZnS一维纳米材料的制备及光学性质研究

ZnS 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米

会议

ZnS一维纳米材料制备光学宽禁带半导体材料禁带宽度一维纳米结构紫外激光器

二氧化钛界面的电子与能量转移:含时密度泛函研究

会议

二氧化钛界面电子能量转移

时间反演破缺拓扑表面态的研究

拓扑绝缘体近年来是表面物理,凝聚态理论物理和拓扑场论的研究热点.传统的拓扑能带绝缘体具有时间反演对称性,而当其表面的时间反演对称被破坏时,能产生许多有趣的态,以及诸

会议

时间反演对称性破缺拓扑场论表面态绝缘体研究热点相互影响理论物理

一台能够对指定微米量级样品成像的扫描隧道显微镜

自从1983年被发明以来1,扫描隧道显微镜在表征物质的电子结构和局域态密度方面显示了巨大的应用价值.值得注意的是,那些让人感兴趣的样品尺寸上往往是比较小的,有很多是在微

会议

微米量级样品尺寸成像扫描隧道显微镜局域态密度自主设计应用价值电子结构

Development of GaN-based materials and optoelectronic devices on silicon substrate

Ⅲ-Nitride semiconductor is a fantastic family system,composed of binary (AlN,GaN,InN),Ternary (InAlN,AlGaN and InGaN) and quaternary (InAlGaN) materials.Due to

会议

实验观察拓扑绝缘体Bi2Te2Se 介观薄片的普适电导涨落和弱反局域化现象

会议

实验观察拓扑绝缘体介观薄片普适电导涨落

块材Bi2Te2Se 的负磁阻和反局域化效应

会议

块材磁阻

TPE-An薄膜STM研究的初步结果

众所周知,扫描隧道显微镜(STM)是研究材料表面微纳结构的强有力手段.近些年来,一些小组报道了关于单层或多层有机分子样品的STM图像和不同条件下扫描隧道谱变化的结果[1].材

会议

薄膜STM图像扫描隧道显微镜材料表面高定向热解石墨有机分子样品微纳结构

量子尺寸效应对准一维纤锌矿氮化物纳米线中表面极化子激子态的影响:双参数变化法

与本文相关的学术论文