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本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10<15>cm<-2>电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的退火行为.发现这样剂量范围的1MeV电子辐照可使a-Si:H太阳电池性能显著退化,而室温退火能使电池性能部分得到恢复,但即使在130℃下经2h退火电池性能也不能完全恢复.本文在双能级模型的基础上对以上结果给出了合理的解释.并讨论了a-Si:H电池的电子辐照效庆与光致退化效应(S-W效应)的异同.