4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a9249228

【摘要】

：

本文讨论了影响P/P高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层

【作者】

：

谭卫东刘六亭骆红马林宝陆春一马利行

【机构】

：

信息产业部电子第五十五研究所(南京)

【出处】

：

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

英寸高阻厚层硅外延片电阻率外延层稳定控制封闭技术高温状态掺杂效应重掺硼杂质应用微米生产立式厚度低阻衬底常压

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

本文讨论了影响P/P<+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英寸P/P<+>高阻厚层硅外延片的生产中,外延片电阻率大于50欧姆厘米,厚度大于40微米.

其他文献

机载设备电子元器件应用DPA方法浅析

破坏性物理分析(DPA)方法在航空工程中得到了广泛地应用,取得了很好的效果.作者认为根据我国国情,航空(重要)工程中也应大力推广DPA方法的应用.本文简要介绍了DPA方法,分析了

会议

机载设备机载电子设备器件应用方法破坏性物理分析航空工程国情

浅析现代环境保护技术的发展与应用

随着现代化社会的发展,国家为了快速提高生产力水平,让环境做出了一定的牺牲,环境污染问题日益严重.例如,一线城市挥之不去的雾霾天气、白色污染、水源污染等都十分严重.没有

期刊

环境保护环保技术发展应用

城市规划设计及建筑设计的关系分析

我国经济实力的不断增强，建筑行业飞速发展，城市建设步伐越来越快，城市规划设计与建筑设计作为城市建设的重点，两者之间存在着紧密关系，要采取合理的措施处理两者之间的关系，提高城

期刊

城市规划设计建筑设计关系处理措施

刍议物探技术在地质找矿的应用

改革开放以来,随着我国经济建设的不断深入壮大,各种矿物的消耗日益加深,需求量也越来越大,尤其是对铜、金、银等一些金属矿物的需求.面对现如今金属矿物大量短缺的情况,各种

期刊

物探地质找矿运用

内部气氛分析在DPA工作中的重要作用

本文介绍内部水汽含量分析在DPA工作中的重要作用,以及目前国内水汽含量的现状和存在的普遍问题,与封装工艺的相关性,进行工艺改进的措施.

会议

水汽含量工艺改进电子元器件破坏性物理分析

多媒体在力学教学中的应用

鸡西矿业集团公司张辰煤矿西三采区3

期刊

防水防渗技术在工民建施工中的有效运用探讨

随着科技的发展,人们的生活与以往大不相同,而这也直接导致了我国的工民建施工过程工艺日趋复杂.造成这些的因素有许多,例如人为环境以及设备的使用等等.而在这些施工工艺中,

期刊

防水防渗技术工民建施工有效运用

3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术

本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.

会议

英寸掺砷衬底高阻厚层硅外延层设计定型电阻率质量器件理想厚度方法常压

城乡建设中的新农村景观规划设计

新农村景观是我国“三民”政策落实的重要内容之一，由于近年来我国的经济水平得到大幅度的提升，因此人们对生活质量的要求也随之变高，从而加快了新农村景观工程发展的进度，这使得

期刊

城乡建设目标新农村规划设计

4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制

硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.

会议

英寸硅外延片生产外延层缺陷研究对象微观缺陷形态硅片方法成因

4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制

与本文相关的学术论文