【摘 要】
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针对V-by-One高速接口芯片,传统的ESD防护方案已经不能满足此类高速信号传输接口对ESD防护等级与对防护器件寄生参数的要求,为解决该问题,通过对某一VBO高速接口芯片失效案例进行逆向分析与重新设计,提出了一种行之有效的ESD防护方案,采用一种新型的SCR结构取代了原本的二极管串结构,该结构具有小回滞特性,漏电流小至纳安级别,在28nm PS工艺与40nm工艺下,分别获得了43.3mA/um和
【机 构】
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浙江大学昆山创新中心 浙江大学微电子学院ESD实验室
【出 处】
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ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会
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针对V-by-One高速接口芯片,传统的ESD防护方案已经不能满足此类高速信号传输接口对ESD防护等级与对防护器件寄生参数的要求,为解决该问题,通过对某一VBO高速接口芯片失效案例进行逆向分析与重新设计,提出了一种行之有效的ESD防护方案,采用一种新型的SCR结构取代了原本的二极管串结构,该结构具有小回滞特性,漏电流小至纳安级别,在28nm PS工艺与40nm工艺下,分别获得了43.3mA/um和34.8mA/um的失效电流,同时也通过改进器件结构参数,使得其工作窗口满足VBO高速接口芯片的要求.
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