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超薄NbN/AlN/NbN外延生长约瑟夫森隧道结的制备与特性研究
【机 构】
:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
:
第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会
【发表日期】
:
2016年5期
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