【摘 要】
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采用密度泛函理论,结合广义梯度近似（GGA）,对X（Al,Ga,Ge,As,P）掺杂原子不同掺杂位置的模型进行几何优化,计算分析了掺杂后置换模型的电子结构和光学性质,结果发现不同掺杂原子对
【机 构】
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昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室;
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)前期研究专项基金资助项目(2008CB617609);国家自然科学基金资助项目(50361003)
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采用密度泛函理论,结合广义梯度近似（GGA）,对X（Al,Ga,Ge,As,P）掺杂原子不同掺杂位置的模型进行几何优化,计算分析了掺杂后置换模型的电子结构和光学性质,结果发现不同掺杂原子对体内物质结构、电子云分布和导电性能均有不同影响。研究发现,掺杂的置换模型形成要易于间隙位置,其中掺杂元素Ge存在金属和半导体两种属性,其带隙宽度最小,与其它掺杂元素差别较大,即掺杂后导电能力要明显优于其它非金属元素。掺杂模型的电子云分布表明掺杂金属元素的影响变化很相近,非金属元素影响差异较大主要由于P和As离子半径的差异。光学性质计算发现,掺杂As的吸收系数在10.13eV位置达到最大,反射系数在约12.0eV位置达到峰值,能量损失最大为Ga元素,通过调整掺杂元素,可以改变SnO2光谱分布和光学性质。
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