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高质量、大面积石墨烯的可控制备是实现其工业化应用的重要前提。基于过渡金属催化的化学气相沉积(CVD)法是已知方法中最可能实现高质量、大面积石墨烯合成的方法。[1] 然而，由于缺乏对石墨烯CVD 生长机制的认识，大面积、高质量石墨烯的可控制备一直是实验上的难题。
石墨烯CVD生长机制研究
【摘 要】
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高质量、大面积石墨烯的可控制备是实现其工业化应用的重要前提。基于过渡金属催化的化学气相沉积(CVD)法是已知方法中最可能实现高质量、大面积石墨烯合成的方法。[1]
【机 构】
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上海市普陀区中山北路3663 号,华东师范大学物理与材料科学学院,国家精密光谱科学与技术国家重点实验室 200062
【出 处】
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第十三届全国量子化学会议
【发表日期】
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2017年期
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