【摘 要】
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为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌，对实验结果进行了验证。本文通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为91.8A/s的SiO2薄膜。
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石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，面临着高速，高探测效率，低损耗等要求，石墨烯在这方面的应用研究相继展开，并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言，石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上，目前，国际上已经制
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