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本文基于AWSC公司2μmInGaP/GaAs HBT晶体管工艺，提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源，解决了现有技术利用大电感（1000nH以上）做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真结果表明，当最高基本频率同为1.10GHz时，全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%，达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。