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高剂量Si<'+>注入热氧化SiO<,2>薄膜的三个PL峰
【机 构】
：
科技大学研究生院(北京)
【出 处】
：
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
1997年期
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