【摘 要】
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根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和实测数据，提取了包括基极串联电阻在内的小信号等效电路模型参数，并据比研究了连接基区横向宽度对基极串联电阻的影响，该方法的有效性也从中得到了验证。
【机 构】
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清华大学 微电子学研究所,北京 100084
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和实测数据，提取了包括基极串联电阻在内的小信号等效电路模型参数，并据比研究了连接基区横向宽度对基极串联电阻的影响，该方法的有效性也从中得到了验证。
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